技能冲破 清华大学初度实现1nm晶体管

发布日期:2022-06-26 10:08    点击次数:118

刻日,据清华大学官网音讯称,清华大学集成电路学院任天令教学团队在小尺寸晶体管研究方面获得首要但愿,初度实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有杰出的电学性能。

网介绍,为进一步冲破1纳米下列栅长晶体管的瓶颈,本研究团队巧妙行使石墨烯薄膜超薄的单原子层厚度和精良的导电性能作为栅极,经由过程石墨烯侧向电场来掌握垂直的MoS2沟道的开关,从而实现等效的物理栅长为0.34nm。

亚1纳米栅长晶体管组织示意图

亚1纳米栅长晶体管器件工艺流程,示意图、表征图以及实物图

经由过程在石墨烯详情聚积金属铝并自然氧化的要领,实现了对石墨烯垂直倾向电场的屏障。再运用原子层聚积的二氧化铪作为栅极介质、化学气相聚积的单层二维二硫化钼薄膜作为沟道。相干功能以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”(Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths)为题,于3月10日在线揭橥在国际顶级学术期刊《自然》(Nature)上。